A5G19H605W19NR3
A5G19H605W19NR3
A5G19H605W19NR3
A5G19H605W19NR3
  • Transistors - FETs, MOSFETs - RF A5G19H605W19NR3
  • Transistors - FETs, MOSFETs - RF A5G19H605W19NR3
  • Transistors - FETs, MOSFETs - RF A5G19H605W19NR3
  • Transistors - FETs, MOSFETs - RF A5G19H605W19NR3
A5G19H605W19NR3
Категория
Transistors - FETs, MOSFETs - RF
Производитель
NXP
RoHS
YES
Certification
Доставка
Оплата

{{title}}
{{description}}
{{ isClicked ? 'Представлено' : 'Отправить' }}
Технические характеристики
Таблицы данных
ModelA5G19H605W19NR3
ManufacturerNXP USA Inc.
Series-
PackagingBulk
Part StatusActive
TechnologyGaN
Configuration-
Frequency1.93GHz ~ 1.995GHz
Gain15.1dB
Voltage - Test48 V
Current Rating (Amps)-
Noise Figure-
Current - Test300 mA
Power - Output85W
Voltage - Rated125 V
Grade-
Qualification-
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseOM-780-4S4S
Supplier Device PackageOM-780-4S4S

Таблицы данных: Work in prgress, stay tuned!

Соответствующая продукция
Close