MT29F16G08ABABAM62B3WC1
MT29F16G08ABABAM62B3WC1
MT29F16G08ABABAM62B3WC1
MT29F16G08ABABAM62B3WC1
  • Memory MT29F16G08ABABAM62B3WC1
  • Memory MT29F16G08ABABAM62B3WC1
  • Memory MT29F16G08ABABAM62B3WC1
  • Memory MT29F16G08ABABAM62B3WC1
MT29F16G08ABABAM62B3WC1
Product Category
Memory
Micron Technology
RoHS
YES



Доставка
Оплата

{{title}}
{{description}}
{{ isClicked ? 'Submitted' : 'Submit RFQ' }}
Технические характеристики
PDF(1)
TYPEDESCRIPTION
Part Number:MT29F16G08ABABAM62B3WC1
Description:IC FLASH 16G PARALLEL DIE
Lead Free Status / RoHS Status:Lead free / RoHS Compliant
Memory Size16Gb (2G x 8)
Meta Part NumberMT29F16G08ABABAM62B3WC1-ND
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature0°C ~ 70°C (TA)
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)3 (168 Hours)
Detailed DescriptionFLASH - NAND Memory IC 16Gb (2G x 8) Parallel Die
TechnologyFLASH - NAND
Write Cycle Time - Word, Page-
PackagingBulk
Voltage - Supply2.7 V ~ 3.6 V
Memory FormatFLASH
Series-
Package / CaseDie
Supplier Device PackageDie
Memory TypeNon-Volatile
Memory InterfaceParallel
сопутствующие товары


Ваш запрос успешно отправлен. Наша команда свяжется с вами в течение 12 часов в рабочие дни.


RFQ ID:ande

Email:ande



Международная специализированная выставка электронных компонентов и комплектующих