IDT71V416YS10Y8
IDT71V416YS10Y8
IDT71V416YS10Y8
IDT71V416YS10Y8
  • Memory IDT71V416YS10Y8
  • Memory IDT71V416YS10Y8
  • Memory IDT71V416YS10Y8
  • Memory IDT71V416YS10Y8
IDT71V416YS10Y8
Product Category
Memory
IDT (Renesas Electronics Corporation)
RoHS
YES



Доставка
Оплата

{{title}}
{{description}}
{{ isClicked ? 'Submitted' : 'Submit RFQ' }}
Технические характеристики
PDF(1)
TYPEDESCRIPTION
Part Number:IDT71V416YS10Y8
Description:IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ
Lead Free Status / RoHS Status:Contains lead / RoHS non-compliant
Write Cycle Time - Word, Page10ns
Access Time10ns
PackagingTape & Reel (TR)
Voltage - Supply3 V ~ 3.6 V
Memory Size4Mb (256K x 16)
Memory TypeVolatile
Meta Part NumberIDT71V416YS10Y8-ND
Moisture Sensitivity Level (MSL)3 (168 Hours)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package44-SOJ
Operating Temperature0°C ~ 70°C (TA)
Other Names71V416YS10Y8
Memory InterfaceParallel
Base Part NumberIDT71V416
TechnologySRAM - Asynchronous
Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
Series-
Memory FormatSRAM
Package / Case44-BSOJ (0.400, 10.16mm Width)
Detailed DescriptionSRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 10ns 44-SOJ
сопутствующие товары


Ваш запрос успешно отправлен. Наша команда свяжется с вами в течение 12 часов в рабочие дни.


RFQ ID:ande

Email:ande



Международная специализированная выставка электронных компонентов и комплектующих